《基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2021-2023年）》全文一覽

　　基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2021—2023年）全文重點摘錄：

　　總體目標

　　到2023年，優(yōu)勢產(chǎn)品競爭力進一步增強，產(chǎn)業(yè)鏈安全供應水平顯著提升，面向智能終端、5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等重要行業(yè)，推動基礎電子元器件實現(xiàn)突破，增強關(guān)鍵材料、設備儀器等供應鏈保障能力，提升產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈現(xiàn)代化水平。

　　——產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。電子元器件銷售總額達到21000億元，進一步鞏固我國作為全球電子元器件生產(chǎn)大國的地位，充分滿足信息技術(shù)市場規(guī)模需求。

　　——技術(shù)創(chuàng)新取得突破。突破一批電子元器件關(guān)鍵技術(shù)，行業(yè)總體創(chuàng)新投入進一步提升，射頻濾波器、高速連接器、片式多層陶瓷電容器、光通信器件等重點產(chǎn)品專利布局更加完善。

　　——企業(yè)發(fā)展成效明顯。形成一批具有國際競爭優(yōu)勢的電子元器件企業(yè)，力爭15家企業(yè)營收規(guī)模突破100億元，龍頭企業(yè)營收規(guī)模和綜合實力有效提升，抗風險和再投入能力明顯增強。

　　二

　　重點工作

　　（一）提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力

　　攻克關(guān)鍵核心技術(shù)。實施重點產(chǎn)品高端提升行動，面向電路類元器件等重點產(chǎn)品，突破制約行業(yè)發(fā)展的專利、技術(shù)壁壘，補足電子元器件發(fā)展短板，保障產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全穩(wěn)定。

　　專欄1 重點產(chǎn)品高端提升行動

　　電路類元器件。重點發(fā)展微型化、片式化阻容感元件，高頻率、高精度頻率元器件，耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠半導體分立器件及模塊，小型化、高可靠、高靈敏度電子防護器件，高性能、多功能、高密度混合集成電路。

　　連接類元器件。重點發(fā)展高頻高速、低損耗、小型化的光電連接器，超高速、超低損耗、低成本的光纖光纜，耐高壓、耐高溫、高抗拉強度電氣裝備線纜，高頻高速、高層高密度印制電路板、集成電路封裝基板、特種印制電路板。

　　機電類元器件。重點發(fā)展高壓、大電流、小型化、低功耗控制繼電器，小型化、高可靠開關(guān)按鈕，小型化、集成化、高精密、高效節(jié)能微特電機。

　　傳感類元器件。重點發(fā)展小型化、低功耗、集成化、高靈敏度的敏感元件，溫度、氣體、位移、速度、光電、生化等類別的高端傳感器，新型MEMS傳感器和智能傳感器，微型化、智能化的電聲器件。

　　功能材料類元件。重點發(fā)展高磁能積、高矯頑力永磁元件，高磁導率、低磁損耗軟磁元件，高導熱、電絕緣、低損耗、無鉛環(huán)保的電子陶瓷元件。

　　光通信器件。重點發(fā)展高速光通信芯片、高速高精度光探測器、高速直調(diào)和外調(diào)制激光器、高速調(diào)制器芯片、高功率激光器、光傳輸用數(shù)字信號處理器芯片、高速驅(qū)動器和跨阻抗放大器芯片。

　　構(gòu)建多層次聯(lián)合創(chuàng)新體系。支持企業(yè)、高等院校及科研院所加強合作，在電子元器件領域探索成立制造業(yè)創(chuàng)新中心，加大關(guān)鍵共性技術(shù)、前沿引領技術(shù)、現(xiàn)代工程技術(shù)、顛覆性技術(shù)研發(fā)力度，搭建產(chǎn)學研用緊密結(jié)合的協(xié)同創(chuàng)新和成果轉(zhuǎn)化平臺。鼓勵各地圍繞特色或細分領域，開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，形成差異化發(fā)展。

　　完善知識產(chǎn)權(quán)布局。鼓勵企業(yè)、高等院校及科研院所提升知識產(chǎn)權(quán)保護意識，完善知識產(chǎn)權(quán)管理制度并開展國內(nèi)外知識產(chǎn)權(quán)布局。探索建立專利池，圍繞電子元器件開展專利分析和預警。開展知識產(chǎn)權(quán)試點企業(yè)培育工作。