佳能推新型光刻機意味著什么？2021半導體光刻機新消息解讀

　　日本佳能將于2021年3月發售新型光刻機“FPA-3030i5a”，該設備使用波長為365納米的“i線”光源，支持直徑從2英寸（約5厘米）到8英寸（約20厘米）的小型基板。與以往機型相比，生產效率提高約17％。

　　日本佳能正通過光刻機加快搶占高功能半導體市場。佳能時隔7年更新了面向小型基板的半導體光刻機，提高了生產效率。在用于純電動汽車（EV）的功率半導體和用于物聯網的傳感器需求有望擴大的背景下，佳能推進支持多種半導體的產品戰略。目標是在三大巨頭壟斷的光刻機市場上確立自主地位。

　　佳能將于2021年3月發售新型光刻機“FPA-3030i5a”，該設備使用波長為365納米的“i線”光源，支持直徑從2英寸（約5厘米）到8英寸（約20厘米）的小型基板。分辨率為0.35微米，更新了測量晶圓位置的構件和軟件。與以往機型相比，生產效率提高約17％。

　　新機型調整了測量晶圓位置的“校準示波器”的構成，與曝光工序分開設置了測量單元。通過同時進行縱橫兩個方向的測量而縮短了時間，并通過擴大測量光的波長范圍，實現了對難以識別標記的多層基板和透明基板的支持，而且能夠識別出晶圓背面的標記。

　　除了目前主流的硅晶圓之外，新機型還可以提高小型晶圓較多的化合物半導體的生產效率。包括功率器件耐壓性等出色的碳化硅（SiC），以及作為5G相關半導體材料而受到期待的氮化鎵（GaN）等。隨著純電動汽車和物聯網的普及，高性能半導體的需求有望增加。

　　在半導體光刻機領域，荷蘭ASML和日本的佳能、尼康3家企業占據了全球9成以上的份額。在促進提升半導體性能的精細化領域，可使用短波長的“EUV”光源的ASML目前處于優勢地位。佳能光學設備業務本部副業務部長三浦圣也表示，佳能將根據半導體材料和基板尺寸等客戶制造的半導體種類來擴大產品線。按照客戶的需求，對機身及晶圓臺等平臺、投影透鏡、校準示波器三個主要單元進行開發和組合，建立齊全的產品群。